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产品中心

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>600V半桥驱动

纳芯微的非隔离半桥驱动芯片集成了高侧和低侧驱动器,可用于高达1200V电压系统。该类型产品具有多个封装类型,小封装给高集成度系统带来了便利。该类型产品广泛应用在工业、通信、新能源汽车等不同领域的开关电源和电机控制设计中。

产品选型表

  • 驱动对象
    MOSFET/IGBT
    GaNFET
  • 峰值驱动电流 (A)
    2/-4
    4/-6
  • 输出通道
    2
  • 母线电压(V)
    700
    1200
  • VCC(Max)(V)
    9-15
    10-24
  • 传播延时(Max) ton/off(ns)
    35/35
    60/60
  • 延迟匹配(ns)
    7
    10
  • 特性
    UVLO、Interlock
    UVLO、Interlock、Miller Clamp、内置LDO
  • 工作温度 (°C)
    -40~125
  • 产品等级
    工业级
    车规级
  • 封装
    LGA10
    SOP8
    SOP14
    LGA

显示 5 种器件

产品名称 驱动对象 峰值驱动电流 (A) 输出通道 母线电压(V) VCC(Max)(V) 传播延时(Max) ton/off(ns) 延迟匹配(ns) 特性 工作温度 (°C) 产品等级 封装
NSD1624-DLAJR
MOSFET/IGBT
4/-6
2
700
10-24
35/35
7
UVLO、Interlock
-40~125
工业级
LGA10
NSD1624-DSPR
MOSFET/IGBT
4/-6
2
700
10-24
35/35
7
UVLO、Interlock
-40~125
工业级
SOP8
NSD1624-DSPKR
MOSFET/IGBT
4/-6
2
1200
10-24
35/35
7
UVLO、Interlock
-40~125
工业级
SOP14
NSD1624-Q1SPR
MOSFET/IGBT
4/-6
2
700
10-24
35/35
7
UVLO、Interlock
-40~125
车规级
SOP8
NSD1624-Q1SPKR
MOSFET/IGBT
4/-6
2
1200
10-24
35/35
7
UVLO、Interlock
-40~125
车规级
SOP14

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