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纳芯微专为E-mode GaN设计的半桥驱动芯片，可用于直接驱动E-mode GaN，无需电阻、电容、稳压管等外围电路，简化了系统设计，并且具有高可靠性、高共模抗扰度、低传输延时的特性，适用于各类高频、高功率密度的GaN应用场景。
产品选型表
显示 3 种器件
| 产品名称 | 驱动对象 | 峰值驱动电流 (A) | 输出通道 | 母线电压(V) | VCC(Max)(V) | 传播延时(Max) ton/off(ns) | 延迟匹配(ns) | 特性 | 工作温度 (°C) | 产品等级 | 封装 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NSD2621A-DQAGR | GaNFET | 2/-4 | 2 | 700 | 24 | 60/60 | 10 | UVLO, Programmable dead time, Enable, 内置LDO | -40~125 | 工业级 | QFN15 |
| NSD2621A-DQAGR | GaNFET | 2/-4 | 2 | 700 | 24 | 60/60 | 10 | UVLO, Programmable dead time, Enable, 内置LDO | -40~125 | 工业级 | QFN15 |
| NSD2621A-DQAGR | GaNFET | 2/-4 | 2 | 700 | 24 | 60/60 | 10 | UVLO, Programmable dead time, Enable, 内置LDO | -40~125 | 工业级 | QFN15 |
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