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2025/03/05
随着新能源汽车与智能驾驶技术的快速发展，中控VCU/TBOX、ADAS、信息娱乐系统等车载电子设备对电源芯片的要求日益提高。如何在严苛的汽车环境下保证稳定供电、提升能效及优化EMI性能，成为电源方案设计的关键挑战：
• 电压稳定性：需应对12V供电系统的瞬态冲击、42V ABS抛负载等极端工况；
• 能效与散热：高集成度要求高效率，同时降低功耗、优化散热，以延长电池续航；
• 电磁兼容性（EMI）：复杂车身电磁环境下，需降低开关噪声对系统的干扰。
纳芯微全新推出的NSR114xx-Q1系列车规级 40V 宽输入同步降压转换器，以高可靠、高效率、低EMI三大核心优势，助力新能源汽车电源方案升级！
封装与选型
NSR114xx-Q1系列产品提供QFN-14和QFN-12两种封装，适用于汽车中控VCU/TBOX、ADAS、信息娱乐系统等多种应用场景。
NSR114xx-Q1系列产品选型表
产品亮点
宽输入电压，高可靠供电
• 3~40V超宽输入电压（VIN），全场景适配车机应用： 输出电压范围1~0.95*VIN，可提供高达4A的输出电流，轻松应对高压抛负载及低温冷启动等极端工况
• 通过AEC-Q100 Grade 1认证：可在-40℃~125℃全环境温度稳定运行
• 全温度范围±1%的高输出电压精度：确保MCU、传感器等关键设备供电安全
高能效设计，续航与性能兼顾
• 超低静态功耗，轻载高效： NSR114xx-Q1系列的典型静态工作电流IQ仅12μA，关断电流ISHDN仅160nA，在 1mA 负载下效率达 85%，大幅降低系统待机功耗，延长电池续航。
关断电流ISHDN随温度变化曲线
静态电流IQ随温度变化曲线
• 低导通阻抗设计，实现全负载高效率：集成59mΩ的HS-FET和29mΩ的LS-FET，支持最高4A负载电流。在12V电池供电场景下，输出5V可实现高达95%的峰值效率，且具有出色的热稳定特性
• 外置偏置供电，进一步优化系统效率：NSR11440-Q1和NSR11430-Q1的BIAS管脚支持外部5.5V以上供电，从而降低输入侧电流
400kHz, 5Vout测试条件下的效率曲线
2.2MHz, 5Vout 测试条件下的效率曲线
低EMI优化设计，满足CISPR25 Class 5标准
• 采用Flip Chip（倒装芯片）技术，优化高频性能：将芯片直连引脚，相比传统封装可实现更小的封装尺寸，同时由于减少了键合线（Wire Bonding）的连接，可有效降低寄生电感和寄生阻容的影响，一定程度上改善了高频特性，从而降低EMI
• 采用对称式引脚分布设计，降低高频干扰：
- 优化 VIN→GND 输入电流路径，减少回流面积，降低高频噪声；
- 双VIN并联输入，抑制寄生参数引起的高频振铃，优化 EMI 性能；
- 输入电流回路磁场互相抵消，进一步降低寄生电感；
- 优化 SW 和 FB 管脚间距，减少高频开关噪声对敏感信号的干扰
• 采用Spread Spectrum展频技术，降低峰值发射：NSR11440-Q1和NSR11430-Q1基于可选的自研展频技术，通过LFSR伪随机频率调制，将固定开关频率的发射能量均匀调制到±5.5%的频带区间，显著降低特定频点的能量峰值，优化 EMI 性能。此外，芯片支持200kHz~2.2MHz的开关频率调节，可根据应用需求选择合适的工作频率，进一步优化EMI特性。凭借这些优势，NSR114xx-Q1 系列无需外部共模电感，即可满足 CISPR25 Class 5 标准。
NSR114xx-Q1产品EMI测试表现
