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产品中心
GaN驱动芯片

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集成负压关断的高压半桥GaN驱动

NSD2012N是专为E-mode GaN设计的低边驱动芯片,该芯片低传输延时特性,能提供2A/-4A的驱动能力。驱动输出级内部集成专门的电压调节器,可以生成5V~6.5V可调的稳定正压,以及-0.5V~-2.5V的可调负压,从而省去了外部负压电路。同时集成一颗5V固定输出的LDO,可以为数字隔离器等电路供电,以用于需要隔离的场景。

产品特性

• 2A/4A峰值驱动电流

• 5V~6.5V可调输出电压

• -0.5V~-2.5V可调输出负压

• 内置5V固定LDO输出用于数字隔离器供电

• 典型值5ns最小输入脉宽

• 典型值23ns输入输出传输延时

• 典型值5ns脉宽畸变

• 典型值6.5ns上升时间(1nF 负载)

• 典型值6.5ns下降时间(1nF 负载)

• 欠压保护、过温保护

• 工作温度范围:-40℃~125℃

应用场景

- 高频开关电源

- 光伏、储能

功能框图

NSD2012N框图.png

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