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半桥驱动板

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HBNSI6611SiC半桥驱动板

HBNSI6611SiC半桥驱动板是基于纳芯微的高压隔离驱动芯片NSI6611设计的，此开发板设计为半桥结构，可以独立驱动上下两个桥臂的IGBT或SiC，兼容ST的ACEPACK DRIVE封装，开发板还集成了两路高压侧驱动的供电，并且电压可调。客户可以完成半桥驱动的应用测试如 双脉冲测试、短路测试等，从而帮助客户快速的评估NSI6611的功能和参数特性



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设计和开发

产品特性

  • 5.7KVRMS隔离电压

  • 10A的电流驱动能力

  • CMTI可以达到±150KV/us

  • 集成200ns快速响应的DESAT检测

  • 集成400mA软关断功能

  • 集成主动米勒钳位功能

  • 集成ASC保护功能

  • 工作温度： Tj=-40°C~150°C


相关资料

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设计和开发

技术文档

类别

名称

类别：

应用笔记

名称：

智能隔离驱动芯片NSI6611的半桥应用和双脉冲测试指南

类别：

应用笔记

名称：

SiC MOSFET短路特性以及短路保护方法

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